太阳能锗单晶片

    我们能生产2英寸、3英寸、4英寸和6英寸的地位错、高性能VGF锗单晶衬底。公司的系列产品被广泛的应用于：地面聚光光伏电站（CPV）、空间太阳能电池板以及超高亮度的LED衬底材料。

产品规格：

  生长方法

  Growth Method 

   VGF 

  掺杂类型

  Dopant 

  P型：镓 

  p-type: Ga 

  N型：砷

  n-type: As

  晶片形状

  Wafer Shape 

  圆形（尺寸2、3、4、6英寸）

  Round (DIA: 2’’, 3’’, 4’’, 6") 

  晶向 

  Surface Orientation * 

  (100)±0.5° 

  * Other Orientations maybe available upon request 

    其他晶向要求可根据客户需求加工 

  电阻率 

  Resistivity  (Ω.cm) 

  根据客户要求

  As Required

  位错 

  Etch Pitch Density (cm2) 

  ≤ 300 

  厚度 

  Thickness (µm) 

  175±25（或根据客户要求）

  175±25 (or as required) 

  TTV [P/P] (µm) 

  ≤ 10 

  WARP (µm) 

  ≤ 15 

  IF** (mm) 

  32.5±1 

  **If needed by customer 

      根据客户需要 

  主面抛光

  Surface 

   E/E, P/E, P/G